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标准号:
GB/T 10067.417-2023
现 行
中文名称:
电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分:碳化硅单晶生长装置
英文名称:
Basic specifications for electroheating and electromagnetic processing installations. Part 417:Silicon carbide crystal growth installations
原文名称:
中标分类:
K61
ICS分类:
25.180.10
标准分类编号:
CN
页数:
17
发布日期:
2023-05-23
实施日期:
2023-12-01
作废日期:
被替代标准:
代替标准序号:
引用标准:
GB/T 150.1;GB/T 150.2;GB/T 150.3;GB/T 150.4;GB/T 2900.23-2008;GB 3095-2012;GB/T 5959.1-2019;GB 8978-1996;GB/T 10066.1-2019;GB/T 10066.4-2004;GB/T 10067.1-2019;GB/T 10067.4-2005;GB 12348-2008;GB 16297-1996;JB/T 9691-1999
采用标准化:
补充修订:
标引依据:
国家标准公告2023年第2号
标准摘要:
本文件规定了碳化硅单晶生长装置的产品分类、技术要求、试验方法,检验规则,标志,包装,运输和贮存以及订购与供货。本文件适用于在真空或保护气氛下,采用间接电阻加热生长碳化硅单晶的电热装置,采用高频感应加热的生长碳化硅单品的装置参照使用。本文件适用于物理气相输运法碳化硅单晶生长装置,其他方法的碳化硅单晶生长装置参照使用。
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现 行
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