中文名称:半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法
|
英文名称:Semiconductor integrated circuit. Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory (DDR3 SDRAM)
|
原文名称:
|
中标分类:L56
|
ICS分类:31.200
|
标准分类编号:CN
|
页数:15
|
发布日期:2018-06-07
|
实施日期:2019-01-01
|
作废日期:
|
被替代标准:
|
代替标准序号:
|
引用标准:GB/T 17574-1998
|
采用标准化:
|
补充修订:
|
标引依据:国家标准公告2018年第9号
|
标准摘要:本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试。
|
|
|
|
|
|
|
|